Samsung 990 EVO レビュー：性能競争を降り、安心感だけを提供するメーカーに

「Samsung 970 PRO」や「Samsung 983 ZET」など、コンシューマ向けSSDでかつてパフォーマンスリーダーに君臨していたサムスンですが、2024年の今となっては見る影もありません。

熱心なサムスン信者だった筆者にとどめを刺すのが･･･、今回レビューする「Samsung 990 EVO」です。ご祝儀価格が落ち着いた頃合いで1TB版を購入し、詳しくベンチマークしてみます。

（公開：2024/4/16 | 更新：2024/4/16）

Samsung 990 EVOのスペックと仕様

Samsung 990 EVO 1TB

Samsung / NAND : Samsung製133層TLC / 容量 : 1 TB / 耐久性 : 600 TBW / 保証 : 5年

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サムスンのデータシートからスペック表を分かりやすくまとめました。

NANDメモリ製造の大手メーカーであるサムスンが自社で製造するブランドだけあって、信頼感の高いスペックシートです。SSDコントローラは「Samsung製Piccolo」を、NANDメモリに「Samsung製 133層 3D TLC」を採用します。

シーケンシャル性能は最大5000 MB/sをアピール。今どきのPCIe 5.0 / 4.0対応NVMe SSDとして、かなり控えめなスペックです。

Samsung 990 EVOと同価格帯に7000 MB/s超のSSDがゴロゴロといる昨今のコンシューマSSD市場において、最大5000 MB/sしか提供しない990 EVOに競争力があるかどうか非常に疑問です。

もちろん、シーケンシャル性能は所詮「マーケティング用語」や「飾り」に過ぎず、実際に出せる実効パフォーマンスが重要と考えるSSDオタクもいます。筆者もその一人ですので、990 EVOの実効性能に期待します。

さすがサムスン。他社と比較して、スペックシートの安心感と信頼性が高いです。

書き込み保証値（TBW）は平均的な数値です。同社の旧世代モデル（980 PROや970 EVO Plus）からまったく伸びておらず、他社の有名ハイエンドモデルと同じ数値に設定されています。

今回レビュー用に購入した1 TB版の場合、書き込み保証値は600 TBです。仮にゲーミングPCでシステムストレージとして使った場合、過剰に見積もっても1日あたり平均50 GBの書き込みです。

600 TBWを50 GB（0.050 TB）で割ると12000日で、耐久値を使い切るのに約33年もかかる計算に。

もっとも過酷な想定（1日あたり1000 GB）だと約1.6年で600 TBWを使い切りますが、大多数の一般人は普通に使います。ほとんどの場合、5年間のメーカー保証を使い切れないでしょう。

ライバル製品と価格設定の比較

PCIe 4.0対応のハイエンドNVMe SSDと価格を比較したグラフです。

2024年4月時点、同等スペック比較では悪くない価格設定に見えます。しかし、日本国内だと番狂わせの中華ハイエンドSSD（YMTC 232層）をかんたんに入手できるため、単純なコストパフォーマンスで見劣りします。

（2024年4月8日：購入したときの価格）

1 TB版が約1.2万円、2 TB版が約2万円です。

サムスンはおそらく「WD Black SN770」を主なライバル製品と捉え、北米市場でさほど振るわっていない中華ハイエンドSSDは最初から競合と見なしていない感があります。

Samsung 990 EVOを開封レビュー

パッケージデザイン & 開封

今までのサムスン製品からイメージチェンジでしょうか？

マットブラックに製品画像でハイエンドな雰囲気から、青色の淡いグラデーションに変わってライトユーザー向けな雰囲気を感じさせます。

Samsung 990 EVO 1TB

Samsung / NAND : Samsung製133層TLC / 容量 : 1 TB / 耐久性 : 600 TBW / 保証 : 5年

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今回レビューで使うサンプルはツクモ通販にて11980円で購入しました。

パッケージの裏面に、サムスン国内代理店を務める株式会社ITGマーケティングの保証シールが貼ってあります。5年保証です。

保証書兼説明書のみ付属します。プラスチック製のケースに、SSD本体がすっぽりと収まっています。

基板コンポーネント

すっかり定番化した真っ黒なプリント基板に、SSDを構成するコンポーネントを覆い隠すように製品ラベルシールが貼られています。

ラベルシールを剥がすと5年間の製品保証が無効になるリスクが高いため、別途M.2ヒートシンクを取り付ける場合はシールを剥がさずにそのまま取り付けましょう。

裏面にコンポーネントはありません。各国の認証ロゴや、交換保証（RMA）申請時に必要となるシリアルナンバー（S/N）が記載されています。

表面だけにコンポーネントが実装されているシンプルな片面実装のNVMe SSDです。取り付けスペースが狭いノートパソコンや、PS5の増設ストレージで問題なく使えます。

ラベルシールを剥がして、基板のコンポーネントを目視で確認します（※5年間の製品保証が切れる行為ですので、真似しない方が安全）。

貼ってあるシールはほとんど厚みのないペラペラなただのシールです。放熱性にまったく期待できないです。

• コントローラ：Samsung Piccolo
  S4LY022 A386ZP0 2349 ARM
• DRAM：なし
• NAND：Samsung 133層 3D TLC NAND
  SEC 307 K9DVGY8J5E-DCK0

SSDコントローラがSamsung自社製造の「Piccolo」、NANDメモリもSamsung自社製造の「133層 3D TLC NAND（マーケティング表記は110～136層）」を搭載します。

DRAMキャッシュは搭載せず、最大64 MBのHMB（ホストメモリバッファ）方式※で代用します。

※ホストメモリバッファ方式：メインメモリのごく一部を拝借してDRAMキャッシュの代わりに使う技術

SSDコントローラはコンシューマ向けSamsung SSDで初となる「Piccolo」コントローラで、Samsung 5 nm製ARM Cortex-R8をベースにした6コア内蔵SoCです。

最大4チャネルのNANDメモリに対応、各チャネルごとに最大2400 MT/sの高いスループットで接続できます。中華ハイエンドSSDで有名な「MAP1602A」とほぼ同一の仕様です。

DRAMキャッシュは非対応なので、DRAMレス（HMB：ホストメモリバッファ）方式を使います。メインメモリから最大64 MBを拝借してDRAMキャッシュの代用にします。

なお、Piccoloコントローラが他社と大きく差別化している仕様が「PCIe 5.0 x2 / PCIe 4.0 x4」接続です。PCIe 5.0対応プラットフォームなら、わずか2レーンの帯域幅で5000 MB/sをかんたんに満たせます。

PCIeレーンを2本単位で細かく分割できるマザーボードがほとんど無いので現時点で役に立つか不透明ですが、将来的に2レーン分割が増えれば「増設のしやすさ」で990 EVOに優位性が生まれる･･･かもしれません。

NANDメモリは「Samsung製 133層 3D TLC NAND（V6P）」を搭載。刻印は「K9DVGY8J5E-DCK0」です。

Samsung 980 PROで使われていた128層（V6）の改良版です。インターフェイス速度が1600 MT/sに向上し、Piccoloコントローラと組み合わせて最大5000 MB/sのシーケンシャル性能を実現します。

Piccolo側は最大2400 MT/sまで対応できるため、5000 MB/sしか出ないのはNANDメモリ側が原因です。データセンター向けの「PM9C1a」の場合、176層NAND（V7）と組み合わせて最大6000 MB/sまで伸びています。

Samsung製133層NANDの記憶密度は約7.0 Gbit/mm²と見積もられ、同価格帯で競合するYMTC製232層NANDのほぼ半分以下に過ぎません。

今回の1 TB版の場合、記憶密度が512 Gb（= 64 GB）のチップを16枚も積み重ねて合計8192 Gb（= 1024 GB）の容量を実現します。

Samsungはすでに176層（V7）や236層（V8）NANDを量産していますが、990 EVOクラスには型落ちの133層（V6P）で妥協した様子。やる気の無さがすごい。

Samsung 990 EVOの性能をベンチマーク

テスト環境を紹介

テスト環境 「ちもろぐ専用：SSDベンチ機」
CPU	Core i7 13700K16コア24スレッド（TDP：125 W）
CPUクーラー	虎徹Mark III120 mmサイドフロー空冷
マザーボード	BIOSTARZ790 Valkyrie
メモリ	DDR5-6000 16GB x2G.Skill Trident Z5 Neo RGB
グラフィックボード	RTX 4060 Ti
テスト対象	Samsung 990 EVO 1TB
システムSSD	HIKSEMI FUTURE70-02TB 2TB
電源ユニット	850 WCorsair HX850i 2021
OS	Windows 11 Pro検証時のバージョンは「22H2」
ドライバ	NVIDIA 536.40 WHQL
ディスプレイ	3840 x 2160@160 Hz使用モデル「Innocn 27M2V」

SSDベンチマークに使用する専用の機材です。

最大15.76 GB/sまで対応できるPCIe 5.0世代の「Intel Z790」マザーボードに、シングルスレッド性能が非常に速い「Core i7 13700K」を搭載。

Ryzen 9 5950X超えのマルチスレッド性能と、現行最強クラスのシングルスレッド性能で、最大14000 MB/s超えの次世代Gen 5 SSDも難なく処理できます。

SSDのセットアップについて

原則として、CPUに直結したM.2スロットまたはPCIeスロットにテスト対象のSSDを接続します。チップセット経由だと応答速度が低下※してしまい、SSD本来の性能を検証できません。

ベンチ機に採用した「Z790 Valkyrie」は、PCIe 5.0対応のM.2スロットを1本、PCIeスロットを2本備えます。複数の爆速SSDをCPUに直結できる稀有なマザーボードです。

※チップセット経由による性能低下はAMDチップセットだと緩和されますが、CPU直結時と比較して性能が下がる傾向自体は同じです。

SSDの冷却について

SSDを熱から保護するサーマルスロットリングによって性能に悪影響が出ないように、以下のような手段でテスト対象のSSDを冷却しながらベンチマークを行います。

• M.2ヒートシンク「Thermalright HR-09」を装着
• 120 mmケースファンを至近距離に設置して冷却

SSDを徹底的に冷やして、サーマルスロットリングがテスト結果に影響を与えないように対策しています。

なお、10分間の温度テスト時のみM.2ヒートシンクとケースファンを取り除いて、温度の上昇を観察します。

SSDドライブ情報と利用できる容量

• インターフェース：NVM Express
• 対応転送モード：PCIe 5.0 x2
• 対応規格：NVM Express 2.0
• 対応機能：S.M.A.R.T. / TRIM / VolatileWriteCache

「Samsung 990 EVO」の初期ステータスをCrystal Disk Infoでチェック。きちんと「PCIe 5.0 x2」接続で認識されています。

最新規格のNVM Express 2.0対応ですが、一般用途だとNVM Express 1.4規格と大差ないです。

フォーマット時の初期容量は「931 GB」でした。

搭載されたNANDメモリ1024 GBの内、ユーザー領域から消えている24 GBはおそらく耐久性や信頼性を確保するための予備領域に利用されています。

Crystal Disk Mark 8

「Crystak Disk Mark 8」は、日本どころか世界で一番有名と言っても過言ではない、定番のSSDベンチマークソフトです。性能の変化をチェックするため、初期設定の「1 GiB」に加え、最大設定の「64 GiB」もテストします。

Crystal Disk Mark 8の結果※クリックで画像拡大します
テストサイズ：1 GiB（MB/s）	テストサイズ：64 GiB（MB/s）
テストサイズ：1 GiB（レイテンシ）	テストサイズ：64 GiB（レイテンシ）

シーケンシャル読み込みが約5000 MB/s、シーケンシャル書き込みが約4150 MB/sでおおむねメーカー公称値どおりです。

テストサイズを64 GiBに引き上げると、書き込み性能とランダム読み込みが若干下がりますが、DRAMレス（HMB：ホストメモリバッファ）方式のSSDでよく見られる典型的な性能特性です。

実際の利用シーンで問題や不具合は起きません。

体感性能や実用性能に影響が大きい、4KBランダムアクセスのレイテンシ（応答時間）の比較グラフです。

Samsung 990 EVOは50.56 μsで、最近のDRAMレスSSDとして平凡な性能。

書き込みレイテンシは非常に高速です。

ATTO Disk Benchmark

ATTO Disk Benchmarkは、テストファイルを小刻みに分割してSSDのスループット（シーケンシャル性能）を測定し、SSDがピーク性能を出しやすいファイルサイズを探るベンチマークソフトです。

ベンチマーク結果からSSDの評価が非常に分かりにくいので、表計算ソフトを使ってグラフ化して他のSSDと比較します。

小さいファイルサイズ（512 Bから8 KB）領域で性能が伸びづらく、Crucial T500やHIKSEMI FUTUREに遅れを取っています。ピーク性能は5000 MB/s前後で公称値どおり、しかし他社と比較すると遅い部類です。

書き込み性能はすべてのテスト領域で安定した傾向です。ピーク速度に達した後も乱高下なくフラットなグラフでテストを終えています。

基本的なベンチマークは以上です。次は実戦テストでSamsung 990 EVOの実力を確かめます。

Samsung 990 EVOを実運用で試す

FF14のロード時間を比較

FF14：暁月のフィナーレ（ベンチマークモード）で、ゲームロード時間を測定します。ベンチマーク終了後に、ログファイルからロード時間を読み取ります。

Samsung 990 EVOのロード時間は「6.25秒」、可もなく不可もなく平凡です。

FPSタイトルのロード時間を比較

PCMark 10 Professional Edition（有償版）で利用できる機能を使って、「Battlefield V」「Call of Duty Black Ops IV」「Overwatch 2」のロード時間を測定します。

なお、測定されたロード時間は各スコアから逆算された概算値（ざっくりとした予想値）です。実際のロードとは異なっているので注意してください。

テストした3タイトルすべてで、一貫してSamsung 990 EVOは競合より見劣りする並以下のゲームロード性能です。

サムスンがライバルと考えているWD Black SN770にも届いてません。同価格帯のHIKSEMIやLexar NM790が相手だと見事に完敗。

「原神」のロード時間を比較

大人気RPGタイトル「原神」のロード時間を実際にテストします。

1. 初回ロード（データロード0%からクリック可能になるまで）
2. 初回ロード（クリックしてから操作可能になるまで）
3. モンドからフォンテーヌへワープ
4. フォンテーヌからスメールシティへワープ
5. スメールシティから稲妻城へワープ
6. 稲妻城からモンドへワープ

上記6パターンを録画ソフト（120 fps）を使って記録し、動画編集ソフトに取り込んでフレーム単位でロード時間を比較しました。

Samsung 990 EVOは「49.38秒」でした。

2024年1月時点、原神の最新バージョン（v4.3）は以前よりもSSDの性能がロード時間に反映されづらい傾向が強く、微妙な性能差にとどまります。

各シーン別のロード時間（※グラフの左から順番にパターン1～6並び）です。

初回ロード（#1～#2）でしか目立った差がなく、ファストトラベル（ワープ時）のパターンだとほぼ同等のロード時間でした。

パターン6（稲妻城からモンドへワープ）は、すでに読み込んだマップが大量に含まれるため、基本的に大きな時間差はつきません。

体感できるか微妙ですが、思ったより良い結果です。

DirectStorageのロード時間を比較

Windows 11はゲームのロード時間を大幅に短縮する「DirectStorage API」に対応しています。

SSDに保存されているゲームデータをメインメモリに送り込み、メインメモリからVRAMに流し込みます。入ってきたデータをGPUの凄まじい演算性能で展開（解凍）し、ゲームロード時間を短縮する技術です。

NVMe SSDからメインメモリにデータを転送する部分で、SSDのシーケンシャル性能が重視されます。SATA SSDよりNVMe SSD、同じNVMe SSDでもPCIe 4.0やPCIe 5.0の方が有利になる可能性が高いです。

CPUで展開する場合はCPUの演算性能がボトルネックになってしまい、SSDの性能差がそれほど確認できません。

GPU展開（RTX 4060 Tiで展開）では、シーケンシャル性能に比例した性能差がハッキリと出ます。

Samsung 990 EVOは0.23秒（18.59 GB/s）で、シーケンシャル性能が最大5000 MB/sしかない割に健闘した印象です。

とはいえ絶対値で見るとコンマ秒レベルの差しかなく、実用上のロード時間は実質的にほぼ同じでしょう。

ファイルコピーにかかった時間

Windows標準のコピペ機能と目視によるストップウォッチでは正確性に欠けるので、ファイルコピーに便利なフリーソフト「DiskBench」を使って、ファイルコピーに掛かった時間を計測します。

• ゲームフォルダ（容量85.3 GB / 81424個）
• 写真ファイル（容量113 GB / 5012枚）
• 圧縮データ（容量256 GB / zipを2個）

以上3つの素材をファイルコピーテストに使います。ソース（基準となるストレージ）は安定した性能に定評がある「Optane SSD P5810X 400GB」です。

書き込み（Optane P5810X → Samsung 990 EVO）のコピペ時間です。

Zipファイルの書き込みは途中でpSLCキャッシュが底尽きてしまったようで、過去ワースト記録を大幅に更新する惨状です。

写真フォルダーとゲームファイルはpSLCキャッシュの範囲に収まるのか、問題なくテストを完了します。

次は読み込み（Samsung 990 EVO → Optane P5810X）のコピペ時間です。

どのテストファイルも平凡な読み込み速度です。先代の970 EVO Plusよりやや早く、ライバルのWD Black SN770に勝てない、なんとも中途半端な性能を見せています。

Premiere Pro CC：4K動画プレビュー

動画編集ソフト「Adobe Premiere Pro CC」に、4K動画素材（448 MB/s）と2K動画素材（175 MB/s）を読み込み、2つの動画を同時にプレビューします。

Premiere Proの動画素材プレビューは、素材を配置しているストレージの性能に影響を受けやすく、SSDの性能が不足すると「コマ落ち」が発生しやすいです。

Premiere Proの標準機能「コマ落ちインジケータ」で落としたフレームを測定し、動画素材の総フレーム数で割ってドロップフレーム率を計算します。

4K + 2K動画プレビューのドロップフレーム率は約16.4%です。

一般的なTLC NAND型SSDはドロップフレーム率10%の壁を超えられません。Samsung 990 EVOも例に漏れず、10%の壁を超えられない平均的なSSDの仲間入り。

10%を割ったSSDは今のところすべて中華ハイエンドシリーズ（YMTC 232層 + MAP1602A）に限られます。

4K動画プレビューでは約10%近いドロップフレーム率です。本テストを完封できるSSDは中華ハイエンドシリーズとCrucial T500に限られ、たいていのSSDでドロップが発生します。

ちなみに肝心のライバルSN770は約3%に抑えており、990 EVOの敗北です。

3K動画素材（@251 MB/s）以下は、ドロップフレーム率「0%」で問題なし。比較グラフは省略します。

PCMark 10：SSDの実用性能

PCMark 10 Professional Editionの「Full System Drive Benchmark」を使って、SSDの実際の使用シーンにおける性能を測定します。

• PCMark 10（UL Benchmarks）

Full System Drive Benchmarkには23種類のテストパターン（Trace）が収録されており、パターンごとの転送速度や応答時間を測定し、SSDの実用性能をスコア化します。

なお、SSDは空き容量によって性能が大きく変化する可能性があるため、空き容量100%だけでなく容量を90%埋めた場合（= 空き容量10%）のテストも行いました（※2回：連続で約2時間のワークロード）。

Samsung 990 EVOのストレージスコア（空き容量10%時）は「2732点」･･･です。空き容量100%なら3969点で、空き容量による性能低下は約30%超！

サムスンが競合と想定するWD Black SN770は空き容量10%ですら約3600点を維持し、Samsung 990 EVOをかんたんに打ち負かします。

同価格帯に生息する中華ハイエンドシリーズ（HIKSEMIやLexar NM790）にも当然まったく勝ててないです。

Samsung 5 nm製の最新コントローラだから実効性能に期待していたものの、結果を見る限り「期待外れ」に終わってしまいました。残念です。

PCMark 10ストレージテストの細かい内訳を確認します。

AdobeスコアとOfficeスコアでSN770と同等、ゲームロードスコアはSN770をやや上回り、ファイルコピースコアで大きく失点します。pSLCキャッシュの制御がもっと上手ければスコアを改善できたでしょう。

NANDメモリの素性の良さ、またはpSLCキャッシュを制したものが、PCMark 10ストレージテスト（空き容量10%）で勝利を収めている傾向です。

15分間の連続書き込みテスト

1 MBのテストファイルを15分間に渡って、ただひたすら連続して書き込み続ける過酷な検証方法です。

一般向けに販売されているほとんどのSSDは、数分ほど連続して書き込むだけで「素の性能」を明らかにできます。SLCキャッシュの有無やサイズ、キャッシュが切れた後の性能低下などなど。

15分の連続書き込みテストによって、SSDのいろいろな挙動が判明します。

（1枚目：比較グラフ / 2枚目：強調グラフ）

テスト開始から約116 GBでpSLCキャッシュが終了、その後テストが終了する15分後まで平均750 MB/sの書き込み性能を維持します。

Samsung 990 EVOのキャッシュ構造をさらに深堀りします。

ブロックファイルを約900 GB書き込み、Samsung 990 EVOの3段階のキャッシュ構造が見えてきます。

グラフの中身をざっくりと解説すると

1. pSLCキャッシュで爆速（約116 GBまで）
2. pSLCキャッシュからTLC NANDへのデータ移動モードで
   書き込み性能がやや低下
3. pSLCキャッシュが切れてTLC NAND本来の性能に
4. ふたたびpSLCキャッシュがやや復活
5. 一瞬だけpSLCキャッシュの爆速モードが復活
6. すぐに切れてpSLC + TLCの混在モードへ

pSLCキャッシュが復活したかと思えばすぐに枯渇したり、どうも忙しい挙動です。書き込みサイズの85%が、pSLCキャッシュとの混在、またはTLC NAND本来の性能で動作します。

pSLCキャッシュを展開できるのは全体の約15%（160 GB前後）に過ぎず、一度に大きなファイルを書き込むとpSLCキャッシュがいとも簡単に剥がれてしまいます。

ふだんのサムスンならpSLCキャッシュの制御方法（ブランド名：Intelligent TurboWrite）について詳しくデータシートに記載があるのですが、Samsung 990 EVOに限って非公開です。

自社のpSLCキャッシュ制御が他社と比較して優位性がないと判断して、あえて公開しないスタイルに変更したのかも？

全体的に精彩を欠く性能特性です。

時間あたりの書き込み量を比較したグラフです。

Samsung 990 EVOは15分でわずか730 GBの書き込みで、ライバルのSN770に勝てません。同価格帯のHIKSEMI FUTUREは約2倍の1423 GBも書き込めます。

SSDの動作温度をテスト

高負荷時のセンサー温度

モニターソフト「HWiNFO」で表示できる温度センサーは3つです。

• ドライブ温度：NANDメモリの温度
• ドライブ温度2：SSDコントローラの温度
• ドライブ温度3：NANDメモリの温度

センサー1と3は常に同じ温度を表示するため、実質的に2つのセンサーです。

M.2ヒートシンクを取り外し、ケースファンによるエアフローを一切与えない環境で、SSDが激しく発熱しやすい「連続書き込みテスト」を10分間実行しました。

センサー1と3が75℃前後まで、センサー2は100℃を軽く超えます。100℃を超える非常に高い温度ながら、サーマルスロットリングらしき症状はまったく発生せず、意外と安定した動作です。

サーモグラフィーで表面温度を確認

テスト開始から約8～9分経過したあたりで、サーモグラフィーカメラを使ってSSDの表面温度を撮影します。

• NANDメモリ（左）：67 ～ 69℃
• SSDコントローラ（右）：99 ～ 100℃

NANDメモリ側が約70℃ほど、SSDコントローラ側で100℃まで上昇します。

ソフト読みセンサー（HWiNFO）とのズレはNAND側で5℃くらい、コントローラ側で最大15℃くらいです。

いったい何度になったらサーマルスロットリングが発生するのか不明ですが、サーマルスロットリングがかかる頃合いでpSLCキャッシュが切れるため、危険な温度のまま高性能を維持するシーンが皆無です。

逆に、高性能を容易に維持できる「Samsung 990 PRO」では、きちんとサーマルスロットリングが実装されています。

Samsung 990 EVOにもサーマルスロットリングは実装されていると推測できます。ただ単に、990 EVOではサーマルスロットリングが必要になるほどの性能を維持できないだけです。

M.2 SSD用ヒートシンク

長尾製作所 / 規格 : M.2 2280 / 型番 : SS-M2S-HS01

• Amazonで探す

基本的にSamsung 990 EVOに別売りのヒートシンクは不要です。なんとなく不安なら付けておくくらいです。

マザーボードにM.2ヒートシンクが付属しているなら取り付ける程度で大丈夫でしょう。さらにケースファンで風をゆるく当てると余裕です。

まとめ：安心感にどこまでお金を出せる？【問われる信仰心】

「Samsung 990 EVO」のデメリットと弱点

• DRAMキャッシュなし
• 値段の割に最大5000 MB/sしかない
• 空き容量による性能変化が大きい
• 並のランダムアクセス性能
• ゲームロード時間も平凡
• pSLCキャッシュの制御がいまいち
• 素の書き込み性能は平凡
• 高負荷時の温度が高い

「Samsung 990 EVO」のメリットと強み

• 非常にまれなPCIe 5.0 x2対応
• 十分な耐久性（600 ～ 1200 TBW）
• ファームウェア更新に対応
• 信頼できるコンポーネント構成
• 最新のSamsung 5 nm製コントローラ
• 5年保証

某アニメの有名セリフ「こういう時どんな顔すればいいのかわからないの」がぼんやりと頭に浮かぶ･･･そんな陰惨とした気持ちです。

かつてコンシューマ向けSSD市場で天下を取っていたNAND業界の巨人サムスンが、想定した競合である「SN770」や同価格帯のPCIe 4.0 SSDに対して、後出しにもかかわらず目立った優位性のない製品を出す時代がやって来るなんて。

自分の中のSamsung像は完全に打ち砕かれ、自分の中で根強かったサムスン信仰が終焉を迎えます。

せめてNANDメモリを133層から176層に更新していればもう少しマシな結果が得られたかもしれませんが、悲しいかな、あの中国製MaxioTech社のMAP1602Aはたとえ128層との組み合わせでも高いパフォーマンスを示します。

以前のレビューで使った文章をそのままコピペ引用します。

より魅力的な選択肢がある中で、あえてSamsung 990 EVOを選ぶ理由を（筆者は）見つけられません･･･でした。

以上「Samsung 990 EVO レビュー：性能競争を降り、安心感だけを提供するメーカーに」でした。

「SN770」は2022年初頭に発売されました。2年経過しても、迷ったらこれ級の王座はSN770のままです。そろそろ更新して欲しいのですが･･･

「Samsung 990 EVO」を入手する

Samsung 990 EVO 1TB

Samsung / NAND : Samsung製133層TLC / 容量 : 1 TB / 耐久性 : 600 TBW / 保証 : 5年

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レビュー（2024年4月）時点で、1 TB版が約1.2万円、2 TB版は約2万円で購入できます。

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